学会発表 | 西口研究室

2026

国内学会

光源の電力効率向上に向けた量子井戸インターミキシングを用いたSSC集積半導体レーザ

高張真美, 上田悠太, 鄭源宰, 進藤隆彦, 下小園真, 西口克彦, 中島史人

2026年電子情報通信学会総合大会 C-3_C-4-35, Mar. 2026
半導体・絶縁体界面における谷分離の発現機構について

林稔晶, 影島博之, 篠原康, 登坂仁一郎, 西口克彦

第73回応用物理学春季学術講演会, 16p-S2_203-11, Mar. 2026
DRAMセルにおける情報消去の最適輸送

清水貴勢, ヴーバンタン, 齊藤圭司, 知田健作, 山端元音, 西口克彦

日本物理学会 2026年春季大会 26aL1-9, Mar. 2026

2025

国際学会

Parallel Silicon Single-Electron Pumps for Generating Nanoampere Current

G. Yamahata, T. Shimizu, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2025 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2025), Jun. 2025

国内学会

ソース分割型シリコン並列単電子ポンプによるナノアンペア動作

山端元音, 清水貴勢, 西口克彦, 藤原聡

The 86th JSAP Autumn Meeting 2025, Sep. 2025
AC信号駆動トランジスタのエントロピー生成

林稔晶, 西口克彦

日本物理学会第80回年次大会 18aSK305-11, Sep. 2025
単電子係数統計による非平衡状態遷移過程の定量解析

Chloe Salhani, 知田健作, 清水貴勢, 林稔晶, 西口克彦

日本物理学会第80回年次大会 18aSK305-12, Sep. 2025
静電結合したシリコンナノドット間を流れる熱流ゆらぎの観測

知田健作, アンドリュー, アントワン, 西口克彦

第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025
DRAMセルのエネルギー効率限界：セル容量依存性

清水貴勢, 知田健作, 山端元音, 西口克彦

第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025
DRAMセルとランダウア限界: 離散性の影響

清水貴勢, 知田健作, 山端元音, 西口克彦

日本物理学会 2025年春季大会 20aL2-11, Mar. 2025
高周波AC信号駆動トランジスタの単電子係数統計による非平衡状態の定量解析

Chloe Salhani, 知田健作, 清水貴勢, 林稔晶, 西口克彦

日本物理学会 2025年春季大会 20aL2-12, Mar. 2025
バリアブル・レンジ・ホッピング伝導の統計力学的アプローチ

林稔晶, 都倉康弘, 西口克彦

日本物理学会 2025年春季大会 21aL2-3, Mar. 2025

2024

国際学会

AC-signal sensing beyond cutoff frequency using a DRAM

Chloe Salhani, Kensaku Chida, Toshiaki Hayashi, Katsuhiko Nishiguchi

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2024), Nov. 2024
Electron Thermometry using Subthreshold Swing of Si Nano Transistors

Hossain Md Nayem, Masahiro Hori, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2024), Nov. 2024
[招待講演] Noise-to-energy conversion in silicon single-electron nanodevices

K. Chida, A. Fujiwara, K. Nishiguchi

2024 Asia-Pacific Workshop on Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2024), Jul. 2024
AC Signal-Sensing 6 Orders of Magnitude above Cutoff Frequency in DRAMs with a Non-Equilibrium Nanoscale Dot

Chloe Salhani, Kensaku Chida, Toshiaki Hayashi, Katsuhiko Nishiguchi

International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2024, Jul. 2024
Experimental verification of Landauer principle under a constraint of nonequilibrium initial state

T. Shimizu, K. Chida, G. Yamahata, K. Nishiguchi

Frontiers in Non-equilibrium Physics 2024, Jul. 2024
First-principal calculations for giant valley splitting in stressed silicon thin films

Toshiaki Hayashi, Hiroyuki Kageshima, Jinichiro Noborisaka, Katsuhiko Nishiguchi

International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2024, Jul. 2024
Energy Costs of Precise Erasure for Nanoscale Silicon Dot Memory with Non-equilibrium Initial State

Takase Shimizu, Kensaku Chida, Gento Yamahata, Katsuhiko Nishiguchi

International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2024, Jul. 2024
Noise Cross-Correlation Measurement of Capacitively-Coupled Silicon Nanometer-Scale Dots via Electron Counting Statistics

Kensaku Chida, Antoine Andrieux, Katsuhiko NIshiguchi

International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2024, Jul. 2024
Ferromagnetic Manganese Silicide Nanoparticles Formed by Ion Implantation in Silicon

R, Ohsugi, M. Kawano, Y. K. Wakabayashi, Y. Krockenberger, H. Sumikura, J. Noborisaka, K. Nishiguchi

Silicon Nanoelectronics Workshop 2024, Jun. 2024

国内学会

AC Signal Sensing 6 Orders of Magnitude above Cutoff Frequency in Non-equilibrium DRAM

Chloe Salhani, Kensaku Chida, Toshiaki Hayashi, Katsuhiko Nishiguchi

The 85th JSAP Autumn Meeting 2024, Sep. 2024
[110]方向に応力がかかったSi 量子井戸における谷分離の第一原理計算

林稔晶, 影島博之, 登坂仁一郎, 西口克彦

第85回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2024
静電結合したシリコンナノドット中の単電子熱運動の交差相関測定

知田健作, アンドリューアントワン, 西口克彦

第85回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2024
DRAMセルのエネルギー効率限界：単電子計数を用いた高精度測定

清水貴勢, 知田健作, 山端元音, 西口克彦

第85回応用物理学会秋季学術講演会 16a-K307-4, Sep. 2024
イオン注入によりSi中に形成した強磁性マンガンシリサイドナノ粒子

大杉廉人, 河野慎, 若林勇希, クロッケンバーガーヨシハル, 角倉久史, 登坂仁一郎, 西口克彦

第85回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2024
非平衡定常状態にある aF キャパシタ DRAM の維持熱

知田健作, サラニクロエ, 清水貴勢, 西口克彦

第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024

2023

国際学会

Negative cross-correlation of thermal noise in capacitively-coupled nanometer-scale dots

Kensaku Chida, Antoine Andrieux, Katsuhiko Nishiguchi

YSF-YITP Symposium, Aug. 2023
Electron counting statistics for observation of noise-to-energy conversion in a nanoscale dot in Gaussian noise induced nonequilibrium steady states [T2a-07B-08]

Kensaku Chida, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi

STATPHYS28, Aug. 2023
Correlation between electric potentials in a variable-range hopping regime [T4-11C-05]

Toshiaki Hayashi, Yasuhiro Tokura, Katsuhiko Nishiguchi

STATPHYS28, Aug. 2023
Application of Ambient Pressure-Driven Pumping Technology towards Ultra Low-Power Underwater Sensing

T. Fukuba, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, M. Bergaud, S. Grall, S. Li, S. H. Kim, N. Clémen

International Symposium on Underwater Technology (UT23), Mar. 2023

国内学会

[招待講演] Si量子井戸における谷分離の研究に対する第一原理計算の有効性について

林稔晶, 影島博之, 登坂仁一朗, 西口克彦

NIMS ナノワークショップ, Dec. 2023
歪を取り⼊れた拡張ゾーン有効質量近似による巨⼤バレー分離の考察

登坂仁一朗, 林稔晶, 藤原聡, 西口克彦

第84回応用物理学会秋季講演会, Sep. 2023
第一原理計算を用いたSi量子井戸における谷分離の研究

林稔晶, 影島博之, 登坂仁一郎, 藤原聡, 西口克彦

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2023
白色ノイズを印加されたaF キャパシタDRAM 中のエネルギー輸送の観測

知田健作, 藤原聡, 西口克彦

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2023
aFキャパシタDRAMでのノイズ-エネルギー変換のエネルギー障壁高さ依存性

知田健作, 藤原聡, 西口克彦

第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2023
バリアブル・レンジ・ホッピング伝導の平均場近似

林稔晶, 都倉康弘, 西口克彦

日本物理学会 2023年春季大会, Mar. 2023

2022

国際学会

Redox-labelled Electrochemical Aptasensors with Nano-supported Cancer Cells

S. Li, Y. Coffinier, C. Lagadec, F. Cleri, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, T. Fujii, S. H. Kim, N. Clémen

35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022), Nov. 2022
Room-temperature single-electron sensor for AC signals beyond an RC time constant ~ Energy transfer via a non-leakage DRAM in non-equilibrium ~

Room-temperature single-electron sensor for AC signals beyond, an RC time constan, Energy transfer via a non-leakage DRAM in, non-equilibrium

35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022), Nov. 2022

国内学会

バリアブル・レンジ伝導における電位ポテンシャルのパワースペクトル

林稔晶, 都倉康弘, 西口克彦

日本物理学会 2022年秋季大会, Sep. 2022
aF キャパシタDRAM でのノイズ-エネルギー変換

知田健作, 藤原聡, 西口克彦

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2022

2021

国際学会

Temperature Dependence of Low-frequency Capacitance Due to Variablerange Hopping

T. Hayashi, Y. Tokura, K. Nishiguchi

International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies (ISNTT2021), Dec. 2021
Observation of Seebeck Effect in a Silicon Electron Box by Electron Counting Statistics

K. Chida, A. Fujiwara, K. Nishiguchi

International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies (ISNTT2021), Dec. 2021
[招待講演] Single-Electron Manipulation in an Atto-Farad-Capacitor DRAM

40th ECS Fall Meeting, Oct. 2021
Jahn-Teller Distortion in confined DNA

I. Madrid, A. Chovin, C. Gerbelo, S. C. Grall, S. Li, T. Fujii, T. Yamaguchi, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, S. H. Kim, A. Anne, C. Demaille, N. Clemen

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2021), Sep. 2021

国内学会

単電子計数統計を用いたナノメートルスケールSi MOSFET中の熱電効果の観測

知田健作, 藤原聡, 西口克彦

2021年応用物理学会春季講演会, Mar. 2021

2020

国際学会

Theoretical Study on Reflectometry Technique for Fast Sensing of an FET sensor

K. Nishiguchi, Akira Fujiwara

33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020), Nov. 2020
Nanometer-Scale Temperature Measurement Based on Single-Electron Counting Statistics in a Nanowire Si MOSFET

K. Chida, A. Fujiwara, K. Nishiguchi

33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020), Nov. 2020
[招待講演] Control of thermal noise originating from single-electron Brownian motion

K. Nishiguchi, C. Kensaku, A. Fujiwara

The 6th International Symposium in Shizuoka University 2020, Mar. 2020

国内学会

反射率測定法によるSOIナノワイヤFETセンサの高速化に関する理論的考察

西口克彦, 藤原聡

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2020
Silicon-on-insulator基板への不純物発光センタドープとその比較

角倉久史, 西口克彦, 新家昭彦, 納富雅也

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2020
SiナノワイヤFETを用いた多層グラフェンMEMSの機械振動検出

西口克彦, 藤原聡

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020

2019

国際学会

Si-nanowire-FET sensor detecting high-frequency mechanical oscillation of a multilayer-graphene MEMS by means of reflectometry technique

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

32th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019), Oct. 2019

2018

国際学会

[招待講演] Information-powered operation of silicon single-electron device

K. Chida, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Symposium for Materials Scientists "Inspiration for Innovation by Interaction (ISMS III), Dec. 2018
[招待講演] Tunable-barrier electron pump for quantum current standards and information-to-energy converters

A. Fujiwara, G. Yamahata, C. Kensaku, K. Nishiguchi

China-Japan International Workshop on Quantum Technologies (QTech2018), Apr. 2018

2017

国際学会

[招待講演] Ultimate Single Electronics with Silicon Nanowire MOSFETs

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, G. Yamahata, K. Chida

2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2017), Jun. 2017

国内学会

[招待講演] 熱ノイズの情報を利用した発電

知田健作, 西口克彦, 藤原聡

第14回日本熱電学会学術講演会, Sep. 2017

2016

国際学会

Electric current generation with Maxwell's demon in a Si single-electron device

K. Chida, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-33), Aug. 2016
[招待講演] Gigahertz single-electron pump for quantum current standard

A. Fujiwara, G. Yamahata, K. Nishiguchi, S. P. Giblin, M. Kataoka

33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS-33), Aug. 2016

国内学会

マクスウェルの悪魔による電力の生成

知田健作, 西口克彦, 藤原聡

第14回日本熱電学会学術講演会, Sep. 2016
シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整

登坂仁一郎, 西口克彦, 藤原聡

第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016

2015

国際学会

Selective-Layer-Free Blood Ionogram Using a 0D Nanotransistor Biosensor

R. Sivakumarasamy, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, N. Clemen

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), Nov. 2015
Fabrication of Triple-Dot Single-Electron Transistor and its Turnstile Operation

M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), Nov. 2015
Electron Emission Using Multilayered-Graphene/SiO2/Si Heterodevice Driven with Low-Voltage Supply in Low Vacuum

D. Yoshizumi, K. Nishiguchi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara, M. Nagase

28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015), Nov. 2015
Thermal noise suppression by feedback control to single-electron motion

K. Chida, K. Nishiguchi, G. Yamahata, H. Tanaka, A. Fujiwara

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2015), Nov. 2015
Correlated phonons in a micro-nano-electromechanical system

M. Villiers, I. Mahboob, K. Nishiguchi, D. Hatanaka, A. Fujiwara, H.Yamaguchi

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2015), Nov. 2015
Gigahertz single-electron pump towards a representation of the new ampere

A. Fujiwara, G. Yamahata, K. Nishiguchi

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Sep. 2015
Error detection and correction of single-electron transfer

H. Tanaka, G. Yamahata, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

Silicon Quantum Electronics Workshop 2015, Aug. 2015
Ultrafast single-charge transfer in silicon up to 8 GHz

G. Yamahata, K. Nishiguchi, S. P. Giblin, M. Kataoka, A. Fujiwara

Silicon Quantum Electronics Workshop 2015, Aug. 2015
[招待講演] Nanoscale Silicon MOSFET for Metrology and Valleytronics Applications

A. Fujiwara, G. Yamahata, J. Noborisaka, K. Nishiguchi

2015 UK-Japan Silicon Nanoelectronics& Nanotechnology (UK-Japan Si NANO2), Jul. 2015
Gigahertz single-electron transfer via a single-trap level in silicon

G. Yamahata, K. Nishiguchi, M. Kataoka, A. Fujiwara

21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-21), Jul. 2015
[招待講演] What happens in a small transistor with single-electron resolution?

K. Nishiguchi

The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2015), Jun. 2015
Gate tuning of direct optical transitions in silicon

J. Noborisaka, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2015), Jun. 2015

国内学会

シリコンナノデバイスを用いた高速単電子転送・検出

藤原聡, 山端元音, 西口克彦

第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2015
シリコン可変障壁単電子ポンプの8GHz動作

山端元音, 西口克彦, 片岡真哉, 藤原聡

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2015
熱ノイズの単一電子分解能分析

西口克彦, 小野行徳, 藤原聡

第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2015
ダブルLC共振回路を用いた高速FETセンサ

西口克彦, 山口浩司, 藤原聡, H. Zan, G. Steele

第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015
シリコン単電子デバイス中の電子数熱ゆらぎのフィードバック冷却

知田健作, 西口克彦, 山端元音, 藤原聡

日本物理学会第70回年次大会, Mar. 2015
低周波揺らぎを低減した高精度な単電子検出とエラーレート評価

田中弘隆, 山端元音, 西口克彦, 藤原聡

日本物理学会第70回年次大会, Mar. 2015

2014

国際学会

Tunnel diode composed of MoS2/SiO2/Si heterojunction

K. Nishiguchi, A. Castellanos-Gomez, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, H. S. J., van, der Zan, G. A. Steele

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014), Nov. 2014
Phonon-lasing (and mode cooling) in an electromechanical resonator

I. Mahboob, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014), Nov. 2014
Violation of equipartition of energy in thermal noise of a small DRAM

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014), Nov. 2014
Zero Dimensional Ion-Sensitive Field-Effect Transistors

R. Sivakumarasamy, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, D. Vuillaume, N. Clemen

27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014), Nov. 2014
Thermal-Noise Suppression in Nanometer-Scale Si Field-Effect Transistors by Feedback Control with Single-Electron Resolution

K. Chida, K. Nishiguchi, G. Yamahata, A. Fujiwara

2014 Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Sep. 2014
Enhanced inter-band dipole transition due to large valley splitting at the Si/SiO2 interface

J. Noborisaka, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

Silicon Quantum Electronics Workshop 2014, Aug. 2014
Water electrolysis and energy harvesting with 0D Ion-Sensitive Field-Effect Transistors

N. Clemen, K Nishiguchi, J-F Dufreche, D. Guerin, A. Fujiwara, D. Vuillaume

The 1st International Symposium on Energy Challenges & Mechanics (ECM2014), Jul. 2014
[招待講演] Silicon nanowire MOSFETs for diverse applications

A. Fujiwara, K Nishiguchi, G. Yamahata

The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (IEEE INEC2014), Jul. 2014

国内学会

単電子検出を利用したフィードバック制御による熱ゆらぎの抑制

知田健作, 西口克彦, 山端元音, 藤原聡

第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2014
Low Energy 1D Silicon Photonic Crystal Electro-Optic Modulator

A. Shakoor, K. Nozaki, E. Kuramochi, K. Nishiguchi, A. Shinya, M. Notomi

第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2014
RF駆動による高速FETセンサ

西口克彦, 山口浩司, 藤原聡, H. Zan, G. Steele

第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2014
剥離MoS2薄膜のLEEM/LEED解析

日比野浩樹, 西口克彦, 水野清義, 影島博之

第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2014
単一トラップ準位を用いた高速単電子ポンプ

山端元音, 西口克彦, 藤原聡

2014年第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014
[招待講演] Siトランジスタ中の単一"電子"揺らぎによる確率共鳴

西口克彦, 藤原聡

日本化学会第94春季年会, Mar. 2014

2013

国際学会

Dual-gate Silicon Single-Electron Transistor Threshold Voltage mapping at Nanoscale with a Scanning Microwave Microscope

N. Clemen, F. Wang, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, G. Patriarche, D. Troadec, B. Legrand, G. Dambrine, D. Theron

26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013), Nov. 2013
High-charge-sensitivity radio-frequency field-effect transistor with large and tunable readout frequency

K. Nishiguchi, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, H. S. J., van, der Zan, G. A. Steele

26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013), Nov. 2013
Ultimate Integration of a PDMS-Based Lab-on-a-Chip with Nanotransistor Bio-sensors

R. Sivakumarasamy, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, D. Vuillaume, N. Clemen

26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2013), Nov. 2013
A nanoelectromechanical resonator embedded in a microelectromechanical resonator

N. Perrissin, I. Mahboob, K. Nishiguchi, D. Hatanaka, Y. Okazaki, A. Fujiwara, H. Yamaguchi

The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2013), Nov. 2013
Mechanism crossover of single-electron transfer in Si tunable-barrier turnstiles

G. Yamahata, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2013), Nov. 2013
Multimode parametric resonance dynamics in an electromechanical resonator

I. Mahboob, M. Mounaix, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi

The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2013), Nov. 2013
Dielectric Polarization 1/f Noise: a signature of defect-free oxides at nanotransistors interface

N. Clemen, K. Nishiguchi, D. Vuillaume, A. Fujiwara

APS March Meeting 2013, Mar. 2013
Transducing Energy Loss in Water Electrolysis with a 0D Ion-Sensitive Field-Effect Transistor

N. Clemen, K. Nishiguchi, J-F. Dufreche, D. Guerin, G. Patriarche, D. Troadec, A. Fujiwara, D. Vuillaume

APS March Meeting 2013, Mar. 2013
Interferometric Scanning Microwave Microscope for Nanotechnology Application

N. Clemen, T. Dargen, H. Tanbakuchi, K. Nishiguchi, R. Sivakumarasamy, F. Wang, A. Fujiwara, D. Ducatteau, G. Dambrine, D. Vuillaume, B. Legrand, D. Theron

APS March Meeting 2013, Mar. 2013
Crossover of transfer mechanism in Si single-electron turnstiles

G. Yamahata, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2013 International Workshop On Silicon Quantum Electronics, Feb. 2013
[招待講演] Single-electron counting statistics of shot and thermal noise in nanowire Si MOSFET

K. Nishiguchi

Nanosciences Fondation-Quantum Nanoelectronics Seminar, Feb. 2013

国内学会

[招待講演] Single-Electron Stochastic Resonance Using Si Nanowire Transistors

西口克彦, 藤原聡

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2013
急峻電流特性トランジスタを利用した確率共鳴による微小信号検出

西口克彦, 藤原聡

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2013
シリコンMOSFETにおける巨大谷分離を用いたフォノンレス発光の増強

登坂仁一郎, 西口克彦, 藤原聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013
シリコン単電子転送素子の極低温における精度評価

山端元音, 西口克彦, 藤原聡

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013

2012

国際学会

[招待講演] Silicon Single-Electron Transfer Devices: Ultimate Control of Electric Charge

A. Fujiwara, G. Yamahata, K. Nishiguchi, G. P. Lansbergen, Y. Ono

2012 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2012
High-frequency properties of Si single-electron transistor

H. Takenaka, M. Shinohara, T. Uchida, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

2012 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2012
One-by-One H2 Bubble Counting during Water Electrolysis with a Chemical Electrometer

N. Clemen, K. Nishiguchi, J-F Dufreche, D. Guerin, A. Fujiwara, D. Vuillaume

2012 MRS Spring Meeting, Apr. 2012

国内学会

シリコン・ナノワイヤ・トランジスタ確率共鳴素子による高速センサ

西口克彦, 藤原聡

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012
シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光

登坂仁一郎, 西口克彦, 影島博之, 藤原聡

電子情報通信学会電子デバイス研究会, Feb. 2012
急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴

西口克彦, 藤原聡

電子情報通信学会電子デバイス研究会, Feb. 2012
Nanoscale electronic devices with low power consumption and high functionality

K. Nishiguchi

第2回日仏先端工学シンポジウム, Feb. 2012

2011

国際学会

Stochastic resonance using a steep-subthreshold-swing transistor

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011), Oct. 2011
Mechanical idler generation

I. Mahboob, Q. Wilmar, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), Sep. 2011
Accuracy of Single-electron Shuttle Transfer in Si Nanowire MOSFETs

G. Yamahata, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

19th international conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19), Jul. 2011
Observation of New Current Peaks of Si Single-Electron Transistor with a Single-Hole Trap

M. Sinohara, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

Silicon Nanoelectronics Workshop 2011, Jun. 2011
シリコン細線MOSFETにおけるシャトル単電子転送

山端元音, 西口克彦, 藤原聡

null, Mar. 2011
Shuttling Transfer of Single Electrons in Si Nanowire MOSFETs

G. Yamahata, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), Jan. 2011
Single-electron stochastic resonance using Si nano-wire transistors

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), Jan. 2011

国内学会

ユニバーサルな電気機械論理ゲートと論理回路

I. Mahboob, E.. Flurin, 西口克彦, 藤原聡, 山口浩司

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, Sep. 2011
シリコン細線MOSFETにおける単電子転送機構

山端元音, 西口克彦, 藤原聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, Sep. 2011
単一電子ショット・ノイズを利用した確率共鳴

西口克彦, 藤原聡

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, Aug. 2011

2010

国際学会

[招待講演] Single-electron applications using nano-wire MOSFETs

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2010 Workshop on Innovative Devices and Systems (WINDS), Dec. 2010
Fast sensing using single-electron stochastic resonance in Si nano-wire transistors

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010), Nov. 2010
Body-biased steep-subthreshold-swing MOS (BS-MOS) with small hysteresis, off current, and drain voltage

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), Sep. 2010
Strong Stark effect of electroluminescence in thin SOI MOSFETs

J. Noborisaka, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Kageshima, A. Fujiwara

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), Sep. 2010
Analysis of Tunneling Potential of Si SETs Fabricated by Pattern-Dependent Oxidation

Y. Kato, M. Jo, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi

2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2010
[招待講演] Fabrication method for triple-coupled dots based on pattern-dependent oxidation

Y. Takahashi, M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, J.-B. Choi

5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Jun. 2010
In plane transport in a double layer crystalline silicon stracture with an SiO2 barrier

K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisarwa, K. Muraki

2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era, Mar. 2010
[招待講演] Single electron transfer technology using Si nanowire MOSFETs

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono

2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era, Mar. 2010
[招待講演] Single dopant effects in silicon nano transistors

Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2010 International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More-than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era, Mar. 2010

国内学会

ヒステリシス・オフ電流・駆動電圧が小さいボディバイアス急峻特性MOS

西口克彦, 藤原聡

秋季第71回応用物理学会学術講演会, Sep. 2010
薄層SOI-MOSFETの電流注入発光における巨大Stark効果

登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡

秋季第71回応用物理学会学術講演会, Sep. 2010
ゲートトンネル分光による薄膜SOI-MOSFET内サブバンド観測

登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡

2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010
ナノMOSFETショットノイズの単一電子計数統計

西口克彦, 小野行徳, 藤原聡

春季第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010

2009

国際学会

Single-Electron Stochastic Resonance using Si Nano-Wire Transistors

K. Nishiguchi, S. Miyamoto, A. Fujiwara

22th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2009), Nov. 2009
[招待講演] Silicon Nanowire MOSFETs and Their Application to Single-Electron Devices

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono

International Conference on Nanoscience & Technology, China 2009, Nov. 2009
Fabrication of triple-dot single-electron transistor and its single-electron-transfer operation

M. Jo, Y. Kato, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J-B Choi

2009 International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2009), Nov. 2009
Single-electron Counting Statistics of Shot Noise in Nanowire Si MOSFETs

K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Oct. 2009
Tunnel Spectroscopy of Electron Subbands in Thin SOI MOSFETs

J. Noborisaka, K. Nishiguchi, H. Kageshima, Y. Ono, A. Fujiwara

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Oct. 2009
[招待講演] Identification of Single Boron Acceptors in Nanowire MOSFETs

Y. Ono, M. A. H. Khalafalla, S. Horiguchi, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Oct. 2009
Random Telegraph Signal and Low Frequency Noise in Silicon Charge-Sensitive Electrometers

N. Clemen, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, D. Vuillaume

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Oct. 2009
Single-electron activation over an oscillating barrier in silicon nanowire MOSFETs

S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, K. M. Itoh, A. Fujiwara

EP2DS-18, Jul. 2009
Electron-hole transport in a 40 nm thick silicon slab

K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki

EP2DS-18, Jul. 2009
Double-dot single-electron transistor fabricated in silicon nanowire

M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi

International Workshop on Photons and Spins in Nanostructures, Jul. 2009
Position Analysis of Single Acceptors in Si Nanoscale Field-Effect Transistors

M. A. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2009 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2009
Fabrication of Coupled-Dot Single-Electron Transistor in Silicon Nanowire

M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, J.-B. Choi

2009 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2009
Detection and Position Analysis of Single and Coupled Acceptors in Si Nanoscale Field-Effect Transistors

M. A. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009), Jan. 2009
Single-electron-based stochastic circuit for pattern recognition using nano-FETs

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009), Jan. 2009
In-plane transport in a double layer crystalline silicon structure with an SiO2 barrier

K. Takashina, M. Nagase, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Muraki

International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009), Jan. 2009

国内学会

シリコンFETを用いた室温における圧電効果変位検出

I. Mahboob, 西口克彦, 藤原聡, 山口浩司

秋季第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009
PIN付きシリコンフォトニック結晶共振器による低電圧駆動電気光変調

田辺孝純, 西口克彦, 倉持栄一, 納富雅也

秋季第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009
シリコン単電子ラチェット転送における振動ポテンシャル障壁を越える共鳴活性化現象

宮本聡, 西口克彦, 小野行徳, 伊藤公平, 藤原聡

秋季第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009
金フローティングゲートを共有したシリコン細線イオン感応トランジスタ

西口克彦, ニコラ・クレモン, 山口徹, 藤原聡

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009

2008

国際学会

[招待講演] Silicon Single-Electron Devices and Their Applications

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi

2008 Tera-level NanoDevices (TND) Technical Forum, Oct. 2008
Si nano-wire ion-sensitive field-effect transistors with a shared floating gate

K. Nishiguchi, N. Clemen, Y. Yamaguchi, A. Fujiwara

21th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2008), Oct. 2008
Single-electron-resolution electrometer based on field-effect transistor

K. Nishiguchi, C. Koechlin, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, H. Yamaguchi

2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Jul. 2008
Dynamics of Single-Electron Capture in Si Nanowire MOSFETs

A. Fujiwara, S. Miyamoto, K. Nishiguchi, Y. Ono, N. M. Zimmerman

Silicon Nanoelectronics Workshop 2008, Jun. 2008

国内学会

ナノＭＯＳＦＥＴを利用した単一電子・確率的情報処理回路

西口克彦, 藤原聡

2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
ナノＭＯＳＦＥＴを利用した単一電子・確率的情報処理回路

西口克彦, 藤原聡

電子デバイス研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」, Jan. 2008

2007

国際学会

Single-electron circuit for stochastic data processing using nano-MOSFETs

K. Nishiguchi, A. Fujiwara

International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec. 2007
Low-energy electron emission using a Si/SiO2/Si cathode for nano-decomposition

K. Nishiguchi, M. Nagase, T. Yamaguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi

20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2007), Nov. 2007
[招待講演] Charge Transport in Boron-Doped Nano MOSFETs: Towards Single-Dopant Electronics

Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara

Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V, 2007), Nov. 2007
Identification of Single and Coupled Acceptors in Silicon Nano Field-Effect Transistors

M. Khalafalla, Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2007
Capacitive Parameter Extraction for Nanometer-Size Field-Effect Transistors

H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2007
Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono

2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2007
[招待講演] A Simple Test Structure for Extracting Capacitances in Nanometer-Scale MOSFETs

H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono, H. Satoh

The 6-th annual International Conference on Global Research and Education(inter academia), Sep. 2007
Single-electron ratchet using silicon nanowie MOSFE

A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Ono

International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems and Modulated Semiconductor Structures (EP2DS 17 + 13 MSS), Jul. 2007
Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs

Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2007
[招待講演] Room-temperature-operating single-electron devices using silicon nanowire MOSFET

K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi

2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Jun. 2007
[招待講演] Recent progress in integration of silicon single-electron devices

H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi

The 4th International Workshop on Ubiquitous Knowledge Network Environment, Mar. 2007
[招待講演] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities

Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction (NNCI) 2007, Feb. 2007

国内学会

転送電流評価によるナノメータMOSFETの容量パラメータ抽出

猪川洋, 藤原聡, 西口克彦, 小野行徳, 佐藤弘明

2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2007
SOIナノトランジスタにおける少数アクセプターによるコンダクタンス変調

小野行徳, 西口克彦, 藤原聡, 山口浩司, 猪川洋, 高橋庸夫

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007
シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出

西口克彦, 小野行徳, 藤原聡, 山口浩司, 猪川浩司, 高橋庸夫

第54回応用物理関係連合講演会, Mar. 2007
３ゲート細線MOSFETによるチャージポンプ動作の検討

猪川洋, 中北要佑, 西口克彦, 小野行徳, 藤原聡

2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2007

2006

国際学会

Infrared detection with silicon nano transistors

K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi

Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Sep. 2006
Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics

H. Inokawa, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, H. Yamaguchi

The 5-th annual International Conference on Global Research and Education (inter-Academia), Sep. 2006
Transfer and detection of single-electron using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

W. C .Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, N. J. Wu

2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), Jul. 2006
Room-Temperature Operation of Data Processing Circuit Based on Single-Electron Transfer and Detection with Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Technology

K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi

Silicon Nanoelectronics Workshop 2006, Jun. 2006
[招待講演] Impurity conduction and its control in phosphorus-doped SOI MOSFET

Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Inokawa, S. Horiguchi, ndY. Takahashi

2006 Silicon Nanoelectronics Workshop, Jun. 2006
Long-Retention Gain-Cell DRAM Using Undoped SOI MOSFET

K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi

Silicon Nanoelectronics Workshop 2006, Jun. 2006

国内学会

[招待講演] シリコン単電子デバイス

西口克彦, 藤原聡, 小野行徳, 猪川浩司, 高橋庸夫

第3回オープンワークショップ「バイオとナノテクノロジーの融合研究」, Oct. 2006
Si/SiO2/Si構造による基板反転層からの低エネルギー電子放出

西口克彦, 永瀬雅夫, 山口徹, 藤原聡, 山口浩司

秋季68回応用物理学会学術講演会, Sep. 2006
[招待講演] SOI MOSFETを用いたゲインセルDRAMと単電子情報処理回路

西口克彦, 藤原聡, 小野行徳, 山口浩司, 猪川浩司, 高橋庸夫

シリコンナノテクノロジ研究集会, Sep. 2006
リンドープSOI MOSFETにおける不純物伝導

小野行徳, J.-F. Morizur, 西口克彦, 高品圭, 山口浩司, 堀口誠二, 高橋庸夫

2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006
アンドープSOI-MOSFETを用いたデータ保持特性の長いゲインセルDRAM

西口克彦, 小野行徳, 藤原聡, 山口浩司, 猪川浩司, 高橋庸夫

秋季67回応用物理学会学術講演会, Aug. 2006
MOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路の室温動作

西口克彦, 藤原聡, 小野行徳, 猪川洋, 高橋庸夫

2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006
リンドープNチャンネルSOIMOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性(2)

小野行徳, 西口克彦, 高品圭, 堀口誠二, 猪川洋, 高橋庸夫

2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006

2005

国際学会

[招待講演] Single-Electron Devices and Circuits Based on MOS Processes

H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi

2005 Tera-level NanoDevices (TND) Technical Forum, Oct. 2005
Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires

K. Nishiguchi, O. Crauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi

Silicon Nanoelectronics Workshop 2005, Jun. 2005
[招待講演] Silicon-based single-electron devices

Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa

Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), May 2005
[招待講演] Room- and Low-Temperature Characteristics of Phosphorus-doped SOI MOSFET

Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi

International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction (NNCI) 2005, Jan. 2005

国内学会

リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性

小野行徳, 西口克彦, 堀口誠二, 高橋庸夫, 猪川洋

2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
SOIトレンチ細線中のクーロンブロッケード現象に対する基板電圧効果

西口克彦, Olivier Crauste, 生津英夫, 堀口誠二, 小野行徳, 藤原聡, 高橋庸夫, 猪川洋

2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
SOIトレンチ構造中のクーロンブロッケード現象に対する基板電圧効果

西口克彦, Olivier Crauste, 生津英夫, 堀口誠二, 小野行徳, 藤原聡, 高橋庸夫, 猪川洋

2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
シリコン･ナノデバイスによる室温での単電子転送と検出

西口克彦, 猪川洋, 小野行徳, 藤原聡, 高橋庸夫

2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会, Apr. 2005

2004

国際学会

Room-temperature single-electron transfer and detection with silicon nanodevices

K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi

International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004, Dec. 2004
[招待講演] Single-Electron Device applications using their special functionalities

Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa

The 6th International Conference on Nano-molecular Electronics (ICNME) 2004, Dec. 2004
Charge-state control of phosphorus donors in SOI MOSFET

Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi

2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2004
[招待講演] Fabrication and Application of Silicon Single-Electron Devices

Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa

Ultimate lithography and nanodevice engineering (LITHO) 2004, Jun. 2004

国内学会

単一電子転送による多値メモリ

西口克彦, 猪川洋, 小野行徳, 藤原聡, 高橋庸夫

2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会, Sep. 2004
SOI MOSFET中のリンドナーの荷電状態制御

小野行徳, 西口克彦, 猪川洋, 堀口誠二, 高橋庸夫

2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会, Sep. 2004
電界閉じ込め単電子箱による多値メモリ

西口克彦\, 猪川洋\, 小野行徳\, 藤原聡\, 高橋庸夫

2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004

2003

国際学会

[招待講演] Silicon Single-Electron Devices Operating with MOSFETs

Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa

6th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & 4th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices (NPMS-6 & SIMD-4), Dec. 2003
[招待講演] Silicon nano-devices and single-electron devices

Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa

2003 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS2003), Dec. 2003
Oscillation phase controlled single-electron transistor combined with a memory node with a small MOSFET

K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi

Device Research Conference (DRC) 2003, Jun. 2003

国内学会

サイドゲートメモリによる位相制御Si単電子トランジスタ

西口克彦, 猪川洋, 藤原聡, 高橋康夫

2003年春季第50回応用物理学関係連合講演会講演, Mar. 2003

2001

国際学会

Ballistic transport under magnetic field in a silicon vertical structure device

K. Nishiguchi, S. Oda

2001 Silicon Nanoelectrinics Workshop (SNW), Jun. 2001
Enhancement of electron emission characteristics from nanocrystalline silicon by planarizarion technique

K. Nishiguchi, X. Zhao, S. Oda

59th Annual Device Research Conference (DRC), Jun. 2001
Photoluminescence study of the self-limiting oxidation in nanocrystalline silicon quantum dots

K. Arai, J. Omachi, K. Nishiguchi, S. Oda

Materials Research Society (MRS) 2001 Spring meeting, Apr. 2001

国内学会

ナノクリスタルシリコン平面型電子放出素子の最適化

西口克彦, 趙新為, 小田俊理

2001年春季第48回応用物理学会学術講演会, Mar. 2001
Si量子ドットのストレス誘起酸化抑制（I)

大町純一, 西口克彦, 新井健太, 小田俊理

2001年春季第48回応用物理学会学術講演会, Mar. 2001
Si量子ドットのストレス誘起酸化抑制（II)

新井健太, 大町純一, 西口克彦, 小田俊理

2001年春季第48回応用物理学会学術講演会, Mar. 2001

2000

国際学会

[招待講演] Single Electron Tunneling and Ballistic Transport in Silicon Nanodevices

S. Oda, A. Dutta, K. Nishiguchi, B.J.Hinds, X. Zhao, S.Hatatani

International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structres (QDS), Dec. 2000
Ballistic transport in silicon vertical transistors

K. Nishiguchi, S. Oda

4th International Workshop on Quantum Functional Devices, Nov. 2000
Fabrication and Characterization of Cold Electron Emitter based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots

K. Nishiguchi, X. Zhao, S. Oda

Materials Research Society (MRS) 2000 Fall Meeting, Nov. 2000
Retardation in the Oxidation rate of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots

J. Omachi, R. Nakamura, K. Nishiguchi, S. Oda

Materials Research Society (MRS) 2000 Fall meeting, Nov. 2000
Fabrication and characterization of nanocrystalline silicon electron emitter

K. Nishiguchi, X. Zhao, S. Oda

25th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS), Sep. 2000
Ballistic transport under magnetic field in silicon vertical transistors

K. Nishiguchi, S. Oda

25th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS), Sep. 2000
Single-Electron Transistors with Two Self-Aligned Gates

K. Nishiguchi, S. Oda

2000 International Conference on Solid State Devices and Materials Conference (SSDM2000), Aug. 2000
Ballistic transport in a silicon vertical transistor

K. Nishiguchi, S. Oda

2000 Silicon Nanoelectrinics Workshop (SNW), Jun. 2000
Electron transport in a single silicon quantum dot structure using a vertical silicon probe

K. Nishiguchi, S. Oda

58th Annual Device Research Conference (DRC), Jun. 2000

国内学会

セルフアライン・ダブルゲート単電子トランジスタの作製

西口克彦, 小田俊理

2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, Sep. 2000
ナノクリスタルシリコンを用いた平面型電子放出素子の作製

西口克彦, 趙新為, 小田俊理

2000年秋季第60回応用物理学会学術講演会, Sep. 2000
シリコン量子ドットを用いた短チャネルスイッチング素子の提案

吉田征一郎, 西口克彦, 小田俊理

2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会, Sep. 2000
シリコン縦型トランジスタによるバリステック伝導の観測

西口克彦, 小田俊理

2000年春季第47回春季応用物理学会学術講演会, Mar. 2000

1999

国際学会

Single electron transistor using silicon quantum dots embedded in SiO2 matrix

F. Yun, K. Nishiguchi, A. Dutta, B. J. Hinds, S. Hatatani, S. Oda, M.Willande

The fifth International Union Materials Research Society-International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM'99), Jun. 1999
Fabrication and characterization of silicon quantum-dot memory by ultrafine silicon particles embedded in SiO2

F. Yun, A. Dutta, B. J. Hinds, K. Nishiguchi, S. Hatatani, S. Oda, M.Willander

The fifth International Union Materials Research Society-International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM'99), Jun. 1999
Preparation of nanocrystalline silicon quantum dots by pulsed plasma processed with high deposition rates

K. Nishiguchi, S. Hara, T. Amano, S. Hatatani, S. Oda

Materials Research Society (MRS) 1999 Spring meeting, Apr. 1999

国内学会

縦型電極構造を利用したナノクリスタルSi単一ドットの特性評価

西口克彦、A. Dutta\, 中村亮、畑谷成郎、小田俊理

1999年秋季第60回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 1999
Electron trasnport in SI-nanocrystal based single electron trasnsistors

A. Dutta, Y. Fu, K. Nishiguchi, S. Hatatani, M. Willander, S. Oda

1999年秋季第60回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 1999
Single electron memory device using nano-crystalline silicon within 2-gate structure

B. J. Hinds, K. Nishiguchi, A. Dutta, T. Yamanaka, S. P. Lee, S. Hatatani, S. Oda

1999年秋季第60回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 1999

1998

国際学会

[招待講演] Single-Electron Tunneling in Nanocrystalline Silicon

S. Oda, A. Dutta, S-P. Lee, Y. Hayafune, K. Nishiguchi, B. J. Hinds, S. Hatatani

1998 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1998), Sep. 1998
Fabrication of Nanodevices Using Silicon Quantum Dots

A. Dutta, Y. Hayafune, S.P. Lee, S. Hara, K. Nishiguchi, S. Oda

International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structres (QDS), May 1998

国内学会

ナノクリスタルシリコンの粒径分布と堆積速度の向上

原聡二, 西口克彦, 畑谷成郎, 小田俊里

1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会, Sep. 1998
結晶Si量子ドットフローティングゲートを有する単一電子メモリの作製

早船義典, A. Dutta, S. P. Lee, 西口克彦, 畑谷成郎, 小田俊利

1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会, Sep. 1998
Fabrication of single electron tunneling devices using silicon quantum dots

A. Dutta, S. P. Lee, Y. Hayafune, K. Nishiguchi, S. Hatatani, S. Oda

1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会, Sep. 1998
Non-volatile single electron memory cell with multiple tunnel junctions

S. P. Lee, A. Dutta, Y. Hayafune, K. Nishiguchi, T. Amano, S. Hatatani, S. Oda

1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会, Sep. 1998

1997

国内学会

Nanoscale electron beam lithography using RD200N negative-ion resist and fabrication of silicon nanodevice structures

A. Dutta, S. P. Lee, Y. Hayafune, K. Nishiguchi, S. Oda

1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会, Oct. 1997